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STGB20H65DFB2

Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; D2PAK


Hersteller: STMicroelectronics

Kennzeichnung des Herstellers:
STGB20H65DFB2
Symbol TME:
STGB20H65DFB2

Technische Daten

Hersteller
STMicroelectronics
Transistor-Typ
IGBT
Kollektor-Emitter-Spannung
650V
Kollektor-Emitter-Strom
25A
Verlustleistung
147W
Gehäuse
D2PAK
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
60A
Montage
SMD
Gate-Ladung
56nC
Verpackungs-Art
Band, Rolle
Bruttogewicht1.5 g
Zertifikate
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