STGB30V60DF
Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; D2PAK
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STGB30V60DF
Symbol TME:
STGB30V60DF
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 600V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 30A | |
Verlustleistung | 258W | |
Gehäuse | D2PAK | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 120A | |
Montage | SMD | |
Gate-Ladung | 163nC | |
Verpackungs-Art | Band, Rolle | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |
Bruttogewicht0.025 g
Zertifikate
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* STGB30V60DFAnzahl Stück (Vielfache: 1 000)
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