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STGB40V60F

Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; D2PAK


Hersteller: STMicroelectronics

Kennzeichnung des Herstellers:
STGB40V60F
Symbol TME:
STGB40V60F

Technische Daten

Hersteller
STMicroelectronics
Transistor-Typ
IGBT
Kollektor-Emitter-Spannung
600V
Kollektor-Emitter-Strom
40A
Verlustleistung
283W
Gehäuse
D2PAK
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
160A
Montage
SMD
Gate-Ladung
226nC
Verpackungs-Art
Band, Rolle
Bruttogewicht1.5 g
Zertifikate
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