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STGB5H60DF

Transistor: IGBT; 600V; 5A; 88W; D2PAK


Hersteller: STMicroelectronics

Kennzeichnung des Herstellers:
STGB5H60DF
Symbol TME:
STGB5H60DF

Technische Daten

Hersteller
STMicroelectronics
Transistor-Typ
IGBT
Kollektor-Emitter-Spannung
600V
Kollektor-Emitter-Strom
5A
Verlustleistung
88W
Gehäuse
D2PAK
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
20A
Montage
SMD
Gate-Ladung
38nC
Verpackungs-Art
Band, Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen
integrated anti-parallel diode
Bruttogewicht1.5 g
Zertifikate
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STGB5H60DF
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