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STGD5H60DF

Transistor: IGBT; 600V; 5A; 83W; DPAK

Hersteller: STMicroelectronics

Kennzeichnung des Herstellers:
STGD5H60DF
Symbol TME:
STGD5H60DF

Technische Daten

Hersteller
STMicroelectronics
Transistor-Typ
IGBT
Kollektor-Emitter-Spannung
600V
Kollektor-Emitter-Strom
5A
Verlustleistung
83W
Gehäuse
DPAK
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
20A
Montage
SMD
Gate-Ladung
38nC
Verpackungs-Art
Band, Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen
integrated anti-parallel diode
Bruttogewicht0.225 g
Zertifikate
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STGD5H60DF
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRolle = 2 500 st