STGD5H60DF
Transistor: IGBT; 600V; 5A; 83W; DPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STGD5H60DF
Symbol TME:
STGD5H60DF
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 600V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 5A | |
Verlustleistung | 83W | |
Gehäuse | DPAK | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 20A | |
Montage | SMD | |
Gate-Ladung | 38nC | |
Verpackungs-Art | Band, Rolle | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |
Bruttogewicht0.225 g
Zertifikate
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* STGD5H60DFAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRolle = 2 500 st