STGD6M65DF2
Transistor: IGBT; 650V; 6A; 88W; DPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STGD6M65DF2
Symbol TME:
STGD6M65DF2
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 650V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 6A | |
Verlustleistung | 88W | |
Gehäuse | DPAK | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 24A | |
Montage | SMD | |
Gate-Ladung | 21,2nC | |
Verpackungs-Art | Band, Rolle | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
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