STGF10NB60SD
Transistor: IGBT; 600V; 23A; 25W; TO220FP
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STGF10NB60SD
Symbol TME:
STGF10NB60SD
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 600V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 23A | |
Verlustleistung | 25W | |
Gehäuse | TO220FP | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 80A | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 33nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |
Bruttogewicht1.71 g
Zertifikate
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* STGF10NB60SDAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 50 st