STGP10H60DF
Transistor: IGBT; 600V; 10A; 115W; TO220AB
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STGP10H60DF
Symbol TME:
STGP10H60DF
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 600V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 10A | |
Verlustleistung | 115W | |
Gehäuse | TO220AB | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 40A | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 57nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |
Bruttogewicht2 g
Zertifikate
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