STGP10M65DF2
Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO220AB
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STGP10M65DF2
Symbol TME:
STGP10M65DF2
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 650V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 10A | |
Verlustleistung | 115W | |
Gehäuse | TO220AB | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 40A | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 28nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |
Bruttogewicht1.986 g
Zertifikate
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* STGP10M65DF2Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Nettopreis für Mengen von 50 st - 0.83 EURBruttopreis für Mengen von 50 st - 0.99 EUR
Nettopreis für Mengen von 100 st - 0.80 EURBruttopreis für Mengen von 100 st - 0.95 EUR
Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 50 st