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STGP19NC60SD

Transistor: IGBT; 600V; 20A; 130W; TO220AB

Hersteller: STMicroelectronics

Kennzeichnung des Herstellers:
STGP19NC60SD
Symbol TME:
STGP19NC60SD

Technische Daten

Hersteller
STMicroelectronics
Transistor-Typ
IGBT
Kollektor-Emitter-Spannung
600V
Kollektor-Emitter-Strom
20A
Verlustleistung
130W
Gehäuse
TO220AB
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
80A
Montage
THT
Gate-Ladung
54,5nC
Verpackungs-Art
Tube
Bruttogewicht2 g
Zertifikate
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STGP19NC60SD
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 50 st