STGP30H60DF
Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO220AB
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STGP30H60DF
Symbol TME:
STGP30H60DF
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 600V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 30A | |
Verlustleistung | 260W | |
Gehäuse | TO220AB | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 120A | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 105nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |
Bruttogewicht1.976 g
Zertifikate
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* STGP30H60DFAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Nettopreis für Mengen von 1 st - 2.80 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 3.34 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 2.39 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 2.85 USD
Nettopreis für Mengen von 10 st - 1.72 USDBruttopreis für Mengen von 10 st - 2.04 USD
Nettopreis für Mengen von 20 st - 1.66 USDBruttopreis für Mengen von 20 st - 1.97 USD
Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 50 st