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STGP30H65F

Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO220AB


Hersteller: STMicroelectronics

Kennzeichnung des Herstellers:
STGP30H65F
Symbol TME:
STGP30H65F

Technische Daten

Hersteller
STMicroelectronics
Transistor-Typ
IGBT
Kollektor-Emitter-Spannung
650V
Kollektor-Emitter-Strom
30A
Verlustleistung
260W
Gehäuse
TO220AB
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
120A
Montage
THT
Gate-Ladung
105nC
Verpackungs-Art
Tube
Bruttogewicht2 g
Zertifikate
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STGP30H65F
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