STGP8M120DF3
Transistor: IGBT; 1,2kV; 8A; 167W; TO220AB
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STGP8M120DF3
Symbol TME:
STGP8M120DF3
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 8A | |
Verlustleistung | 167W | |
Gehäuse | TO220AB | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 32A | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 32nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |
Bruttogewicht2 g
Zertifikate
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: IGBT THT-Transistoren STMicroelectronics,
* STGP8M120DF3Anzahl Stück (Vielfache: 1)
0 auf Lager bei TME
Nettopreis für Mengen von 1 st - 5.17 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 6.15 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 4.79 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 5.70 USD
Nettopreis für Mengen von 1000 st - 4.00 USDBruttopreis für Mengen von 1000 st - 4.77 USD