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STGP8NC60KD

Transistor: IGBT; 600V; 8A; 65W; TO220AB

Unterlagen EN
Produktfamilie

Hersteller: STMicroelectronics

Kennzeichnung des Herstellers:
STGP8NC60KD
Symbol TME:
STGP8NC60KD

Technische Daten

Hersteller
STMicroelectronics
Transistor-Typ
IGBT
Kollektor-Emitter-Spannung
600V
Kollektor-Emitter-Strom
8A
Verlustleistung
65W
Gehäuse
TO220AB
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
30A
Montage
THT
Gate-Ladung
19nC
Verpackungs-Art
Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen
integrated anti-parallel diode
Bruttogewicht1.97 g
Zertifikate
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STGP8NC60KD
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 50 st