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STGW15H120DF2

Transistor: IGBT; 1,2kV; 15A; 259W; TO247-3


Hersteller: STMicroelectronics

Kennzeichnung des Herstellers:
STGW15H120DF2
Symbol TME:
STGW15H120DF2

Technische Daten

Hersteller
STMicroelectronics
Transistor-Typ
IGBT
Kollektor-Emitter-Spannung
1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom
15A
Verlustleistung
259W
Gehäuse
TO247-3
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
60A
Montage
THT
Gate-Ladung
67nC
Verpackungs-Art
Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen
integrated anti-parallel diode
Bruttogewicht3 g
Zertifikate
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STGW15H120DF2
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