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STGW15M120DF3

Transistor: IGBT; 1,2kV; 15A; 259W; TO247-3

Hersteller: STMicroelectronics

Kennzeichnung des Herstellers:
STGW15M120DF3
Symbol TME:
STGW15M120DF3

Technische Daten

Hersteller
STMicroelectronics
Transistor-Typ
IGBT
Kollektor-Emitter-Spannung
1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom
15A
Verlustleistung
259W
Gehäuse
TO247-3
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
60A
Montage
THT
Gate-Ladung
53nC
Verpackungs-Art
Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen
integrated anti-parallel diode
Bruttogewicht3 g
Zertifikate
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STGW15M120DF3
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