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STGW30H65FB

Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3


Hersteller: STMicroelectronics

Kennzeichnung des Herstellers:
STGW30H65FB
Symbol TME:
STGW30H65FB

Technische Daten

Hersteller
STMicroelectronics
Transistor-Typ
IGBT
Kollektor-Emitter-Spannung
650V
Kollektor-Emitter-Strom
30A
Verlustleistung
260W
Gehäuse
TO247-3
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
120A
Montage
THT
Gate-Ladung
149nC
Verpackungs-Art
Tube
Bruttogewicht4.57 g
Zertifikate
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STGW30H65FB
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 30 st