STGW30V60DF
Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STGW30V60DF
Symbol TME:
STGW30V60DF
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 600V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 30A | |
Verlustleistung | 258W | |
Gehäuse | TO247-3 | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 120A | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 163nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |
Bruttogewicht4.5 g
Zertifikate
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: IGBT THT-Transistoren STMicroelectronics,
* STGW30V60DFAnzahl Stück (Vielfache: 1)
371 auf Lager bei TME
Nettopreis für Mengen von 1 st - 3.63 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 4.32 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 3.29 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 3.92 USD
Nettopreis für Mengen von 5 st - 3.05 USDBruttopreis für Mengen von 5 st - 3.64 USD
Nettopreis für Mengen von 10 st - 2.73 USDBruttopreis für Mengen von 10 st - 3.25 USD
Nettopreis für Mengen von 30 st - 2.60 USDBruttopreis für Mengen von 30 st - 3.09 USD
Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 30 st