STGW40H65DFB
Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STGW40H65DFB
Symbol TME:
STGW40H65DFB
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 650V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 40A | |
Verlustleistung | 283W | |
Gehäuse | TO247-3 | |
Gate - Emitter Spannung | ±30V | |
Kollektorstrom im Impuls | 160A | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 0,21µC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |
Bruttogewicht4.58 g
Zertifikate
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* STGW40H65DFBAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 30 st