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STGW40H65FB

Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3


Hersteller: STMicroelectronics

Kennzeichnung des Herstellers:
STGW40H65FB
Symbol TME:
STGW40H65FB

Technische Daten

Hersteller
STMicroelectronics
Transistor-Typ
IGBT
Kollektor-Emitter-Spannung
650V
Kollektor-Emitter-Strom
40A
Verlustleistung
283W
Gehäuse
TO247-3
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
160A
Montage
THT
Gate-Ladung
0,21µC
Verpackungs-Art
Tube
Bruttogewicht3 g
Zertifikate
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STGW40H65FB
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