STGW40V60DF
Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STGW40V60DF
Symbol TME:
STGW40V60DF
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 600V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 80A | |
Verlustleistung | 283W | |
Gehäuse | TO247-3 | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 160A | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 226nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |
Bruttogewicht4.52 g
Zertifikate
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* STGW40V60DFAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 30 st