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STGW60H65DFB

Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3


Hersteller: STMicroelectronics

Kennzeichnung des Herstellers:
STGW60H65DFB
Symbol TME:
STGW60H65DFB

Technische Daten

Hersteller
STMicroelectronics
Transistor-Typ
IGBT
Kollektor-Emitter-Spannung
650V
Kollektor-Emitter-Strom
60A
Verlustleistung
375W
Gehäuse
TO247-3
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
240A
Montage
THT
Gate-Ladung
306nC
Verpackungs-Art
Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen
integrated anti-parallel diode
Bruttogewicht4.574 g
Zertifikate
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STGW60H65DFB
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