STGW80H65DFB
Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STGW80H65DFB
Symbol TME:
STGW80H65DFB
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 650V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 80A | |
Verlustleistung | 470W | |
Gehäuse | TO247-3 | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 300A | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 414nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |
Bruttogewicht4.582 g
Zertifikate
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* STGW80H65DFBAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 30 st