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STGWA50M65DF2

Transistor: IGBT; 650V; 50A; 375W; TO247-3


Hersteller: STMicroelectronics

Kennzeichnung des Herstellers:
STGWA50M65DF2
Symbol TME:
STGWA50M65DF2

Technische Daten

Hersteller
STMicroelectronics
Transistor-Typ
IGBT
Kollektor-Emitter-Spannung
650V
Kollektor-Emitter-Strom
50A
Verlustleistung
375W
Gehäuse
TO247-3
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
150A
Montage
THT
Gate-Ladung
150nC
Verpackungs-Art
Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen
integrated anti-parallel diode
Bruttogewicht3 g
Zertifikate
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