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STGWT20IH125DF

Transistor: IGBT; 1,25kV; 20A; 259W; TO3P


Hersteller: STMicroelectronics

Kennzeichnung des Herstellers:
STGWT20IH125DF
Symbol TME:
STGWT20IH125DF

Technische Daten

Hersteller
STMicroelectronics
Transistor-Typ
IGBT
Kollektor-Emitter-Spannung
1,25kV
Kollektor-Emitter-Strom
20A
Verlustleistung
259W
Gehäuse
TO3P
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
80A
Montage
THT
Gate-Ladung
69nC
Verpackungs-Art
Tube
Bruttogewicht5 g
Zertifikate
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STGWT20IH125DF
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