STGWT60H65DFB
Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STGWT60H65DFB
Symbol TME:
STGWT60H65DFB
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 650V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 60A | |
Verlustleistung | 375W | |
Gehäuse | TO3P | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 240A | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 306nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |
Bruttogewicht5.21 g
Zertifikate
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* STGWT60H65DFBAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Nettopreis für Mengen von 1 st - 4.58 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 5.45 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 4.13 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 4.91 USD
Nettopreis für Mengen von 5 st - 3.84 USDBruttopreis für Mengen von 5 st - 4.57 USD
Nettopreis für Mengen von 10 st - 3.68 USDBruttopreis für Mengen von 10 st - 4.38 USD
Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 30 st