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STGWT60H65FB

Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P

Hersteller: STMicroelectronics

Kennzeichnung des Herstellers:
STGWT60H65FB
Symbol TME:
STGWT60H65FB

Technische Daten

Hersteller
STMicroelectronics
Transistor-Typ
IGBT
Kollektor-Emitter-Spannung
650V
Kollektor-Emitter-Strom
60A
Verlustleistung
375W
Gehäuse
TO3P
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
240A
Montage
THT
Gate-Ladung
306nC
Verpackungs-Art
Tube
Bruttogewicht5 g
Zertifikate
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STGWT60H65FB
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