STGYA120M65DF2
Transistor: IGBT; 650V; 120A; 625W; MAX247
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STGYA120M65DF2
Symbol TME:
STGYA120M65DF2
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 650V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 120A | |
Verlustleistung | 625W | |
Gehäuse | MAX247 | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 360A | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 420nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |
Bruttogewicht5 g
Zertifikate
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* STGYA120M65DF2Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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