STP26N65DM2
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 12,6A; Idm: 53A
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STP26N65DM2
Symbol TME:
STP26N65DM2
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | N-MOSFET | |
Technologie | MDmesh™ DM2 | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 650V | |
Drainstrom | 12,6A | |
Drainstrom im Impuls | 53A | |
Verlustleistung | 170W | |
Gehäuse | TO220-3 | |
Gate-Source Spannung | ±25V | |
Widerstand im Leitungszustand | 0,19Ω | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 35,5nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Kanal-Art | anreicherungs |
Bruttogewicht2 g
Zertifikate
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* STP26N65DM2Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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