STP35N65DM2
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STP35N65DM2
Symbol TME:
STP35N65DM2
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | N-MOSFET | |
Technologie | MDmesh™ DM2 | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 650V | |
Drainstrom | 20A | |
Drainstrom im Impuls | 90A | |
Verlustleistung | 250W | |
Gehäuse | TO220-3 | |
Gate-Source Spannung | ±25V | |
Widerstand im Leitungszustand | 0,11Ω | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 56,3nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Kanal-Art | anreicherungs |
Bruttogewicht2 g
Zertifikate
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