STP50N65DM6
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; Idm: 120A; 250W; TO220-3
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STP50N65DM6
Symbol TME:
STP50N65DM6
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | N-MOSFET | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 650V | |
Drainstrom | 33A | |
Drainstrom im Impuls | 120A | |
Verlustleistung | 250W | |
Gehäuse | TO220-3 | |
Gate-Source Spannung | ±25V | |
Widerstand im Leitungszustand | 91mΩ | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 52,5nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Kanal-Art | anreicherungs |
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
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