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Hersteller	STMicroelectronics
Transistor-Typ	N-MOSFET
Technologie	MDmesh™ DM2
Polarisierung	unipolar
Drain-Source Spannung	650V
Drainstrom	30A
Verlustleistung	360W
Gehäuse	TO247
Gate-Source Spannung	±25V
Widerstand im Leitungszustand	58mΩ
Montage	THT
Verpackungs-Art	Tube
Kanal-Art	anreicherungs

STW56N65DM2

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247

Technische Daten