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STW63N65DM2

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; Idm: 240A; 446W; TO247


Hersteller: STMicroelectronics

Kennzeichnung des Herstellers:
STW63N65DM2
Symbol TME:
STW63N65DM2

Technische Daten

Hersteller
STMicroelectronics
Transistor-Typ
N-MOSFET
Polarisierung
unipolar
Drain-Source Spannung
650V
Drainstrom
38A
Drainstrom im Impuls
240A
Verlustleistung
446W
Gehäuse
TO247
Gate-Source Spannung
±25V
Widerstand im Leitungszustand
42mΩ
Montage
THT
Gate-Ladung
0,12µC
Verpackungs-Art
Tube
Kanal-Art
anreicherungs
Bruttogewicht3 g
Zertifikate
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