US6J11TR

Name: ROHM SEMICONDUCTOR US6J11TR
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: US6J11TR
Availability: OutOfStock

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -1,3A; Idm: -5,2A; 1W; ESD

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR

Kennzeichnung des Herstellers:

US6J11TR

Symbol TME:

US6J11TR

Nettopreis für Mengen von 1 st - 0.83 EURBruttopreis für Mengen von 1 st - 0.98 EUR

Nettopreis für Mengen von 10 st - 0.52 EURBruttopreis für Mengen von 10 st - 0.61 EUR

Nettopreis für Mengen von 100 st - 0.34 EURBruttopreis für Mengen von 100 st - 0.40 EUR

Nettopreis für Mengen von 500 st - 0.26 EURBruttopreis für Mengen von 500 st - 0.31 EUR

Nettopreis für Mengen von 1000 st - 0.23 EURBruttopreis für Mengen von 1000 st - 0.28 EUR

Nettopreis für Mengen von 3000 st - 0.20 EURBruttopreis für Mengen von 3000 st - 0.24 EUR

Nettopreis für Mengen von 6000 st - 0.19 EURBruttopreis für Mengen von 6000 st - 0.22 EUR

Nettopreis für Mengen von 9000 st - 0.18 EURBruttopreis für Mengen von 9000 st - 0.21 EUR

Nettopreis für Mengen von 15000 st - 0.17 EURBruttopreis für Mengen von 15000 st - 0.20 EUR

Nettopreis für Mengen von 21000 st - 0.16 EURBruttopreis für Mengen von 21000 st - 0.19 EUR

Anzahl Stück (Vielfache: 1)

Mögliche Mindestbestellmenge: 1.
Vielfache: 1.

Hersteller	ROHM SEMICONDUCTOR
Transistor-Typ	P-MOSFET x2
Polarisierung	unipolar
Drain-Source Spannung	-12V
Drainstrom	-1,3A
Drainstrom im Impuls	-5,2A
Verlustleistung	1W
Gehäuse	TUMT6
Gate-Source Spannung	±10V
Widerstand im Leitungszustand	1,06Ω
Montage	SMD
Gate-Ladung	2,4nC
Verpackungs-Art	Band, Rolle
Kanal-Art	anreicherungs
Ausführung	ESD