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US6K1TR

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 1,5A; Idm: 6A; 1W; TUMT6; ESD


Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR

Kennzeichnung des Herstellers:
US6K1TR
Symbol TME:
US6K1TR

Technische Daten

Hersteller
ROHM SEMICONDUCTOR
Transistor-Typ
N-MOSFET x2
Polarisierung
unipolar
Drain-Source Spannung
30V
Drainstrom
1,5A
Drainstrom im Impuls
6A
Verlustleistung
1W
Gehäuse
TUMT6
Gate-Source Spannung
±12V
Widerstand im Leitungszustand
0,34Ω
Montage
SMD
Gate-Ladung
1,6nC
Verpackungs-Art
Band, Rolle
Kanal-Art
anreicherungs
Ausführung
ESD
Bruttogewicht0.1 g
Zertifikate

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