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US6K4TR

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1,5A; Idm: 3A; 1W; TUMT6; ESD

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR

Kennzeichnung des Herstellers:
US6K4TR
Symbol TME:
US6K4TR

Technische Daten

Hersteller
ROHM SEMICONDUCTOR
Transistor-Typ
N-MOSFET x2
Polarisierung
unipolar
Drain-Source Spannung
20V
Drainstrom
1,5A
Drainstrom im Impuls
3A
Verlustleistung
1W
Gehäuse
TUMT6
Gate-Source Spannung
±10V
Widerstand im Leitungszustand
0,31Ω
Montage
SMD
Gate-Ladung
1,8nC
Verpackungs-Art
Band, Rolle
Kanal-Art
anreicherungs
Ausführung
ESD
Bruttogewicht0.1 g
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