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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Hersteller | ROHM SEMICONDUCTOR | |
Transistor-Typ | N-MOSFET x2 | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 20V | |
Drainstrom | 1,5A | |
Drainstrom im Impuls | 3A | |
Verlustleistung | 1W | |
Gehäuse | TUMT6 | |
Gate-Source Spannung | ±10V | |
Widerstand im Leitungszustand | 0,31Ω | |
Montage | SMD | |
Gate-Ladung | 1,8nC | |
Verpackungs-Art | Band, Rolle | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Ausführung | ESD |