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US6M11TR

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-12V; 1,5/-1,3A; Idm: 5,2÷6A

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR

Kennzeichnung des Herstellers:
US6M11TR
Symbol TME:
US6M11TR

Technische Daten

Hersteller
ROHM SEMICONDUCTOR
Transistor-Typ
N/P-MOSFET
Polarisierung
unipolar
Drain-Source Spannung
20/-12V
Drainstrom
1,5/-1,3A
Drainstrom im Impuls
5,2...6A
Verlustleistung
1W
Gehäuse
TUMT6
Gate-Source Spannung
±10V
Widerstand im Leitungszustand
600mΩ/1,06Ω
Montage
SMD
Gate-Ladung
1,8/2,4nC
Verpackungs-Art
Band, Rolle
Kanal-Art
anreicherungs
Bruttogewicht0.1 g
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