VMM300-03F
Modul; Transistor/Transistor; 300V; 220A; Y3-DCB; Idm: 1,16kA
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
VMM300-03F
Symbol TME:
VMM300-03F
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Drain-Source Spannung | 300V | |
Drainstrom | 220A | |
Gehäuse | Y3-DCB | |
Topologie | MOSFET Halbbrücke | |
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 7,4mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 1,16kA | |
Verlustleistung | 1,5kW | |
Technologie | HiPerFET™ | |
Gate-Source Spannung | ±20V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht50 g
Zertifikate
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* VMM300-03FAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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