VMO550-01F
Modul; einzelner Transistor; 100V; 590A; Y3-DCB; Idm: 2,36kA; 2,2kW
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
VMO550-01F
Symbol TME:
VMO550-01F
Technische Daten
Hersteller | IXYS | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 100V | ||
Drainstrom | 590A | ||
Gehäuse | Y3-DCB | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Polarisierung | unipolar | ||
Widerstand im Leitungszustand | 2,1mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 2,36kA | ||
Verlustleistung | 2,2kW | ||
Technologie | HiPerFET™ | ||
Kanal-Art | anreicherungs | ||
Gate-Ladung | 2µC | ||
Bereitschaftszeit | 300ns | ||
Gate-Source Spannung | ±20V | ||
Eigenschaften von Halbleiterelementen | Kelvin Terminal | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht50 g
Zertifikate
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* VMO550-01FAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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