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Hersteller | IXYS | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 500V | ||
Drainstrom | 60A | ||
Gehäuse | TO240AA | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Polarisierung | unipolar | ||
Widerstand im Leitungszustand | 65mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 240A | ||
Verlustleistung | 590W | ||
Technologie | HiPerFET™ | ||
Kanal-Art | anreicherungs | ||
Gate-Ladung | 405nC | ||
Bereitschaftszeit | 250ns | ||
Gate-Source Spannung | ±20V | ||
Eigenschaften von Halbleiterelementen | Kelvin Terminal | ||
Mechanische Montage | schraubbar |