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VMO60-05F

Modul; einzelner Transistor; 500V; 60A; TO240AA; Idm: 240A; 590W

Hersteller: IXYS

Kennzeichnung des Herstellers:
VMO60-05F
Symbol TME:
VMO60-05F

Technische Daten

Hersteller
IXYS
Typ des Halbleitermoduls
Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters
einzelner Transistor
Drain-Source Spannung
500V
Drainstrom
60A
Gehäuse
TO240AA
Elektrische Montage
schraubbar, Steckverbinder FASTON
Polarisierung
unipolar
Widerstand im Leitungszustand
65mΩ
Drainstrom im Impuls
240A
Verlustleistung
590W
Technologie
HiPerFET™
Kanal-Art
anreicherungs
Gate-Ladung
405nC
Bereitschaftszeit
250ns
Gate-Source Spannung
±20V
Eigenschaften von Halbleiterelementen
Kelvin Terminal
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht50 g
Zertifikate
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VMO60-05F
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