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VS-GA200SA60UP

Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B

Hersteller: VISHAY

Kennzeichnung des Herstellers:
VS-GA200SA60UP
Symbol TME:
VS-GA200SA60UP

Technische Daten

Hersteller
VISHAY
Typ des Halbleitermoduls
IGBT
Struktur des Halbleiters
einzelner Transistor
Rückspannung max.
0,6kV
Kollektor-Emitter-Strom
200A
Gehäuse
SOT227B
Elektrische Montage
schraubbar
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
400A
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht30 g
Zertifikate
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