VS-GT180DA120U
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 185A; SOT227B
Hersteller: VISHAY
Kennzeichnung des Herstellers:
VS-GT180DA120U
Symbol TME:
VS-GT180DA120U
Technische Daten
Hersteller | VISHAY | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 185A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 390A | |
Technologie | Trench | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht30 g
Zertifikate
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* VS-GT180DA120UAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Nettopreis für Mengen von 1 st - 44.20 EURBruttopreis für Mengen von 1 st - 52.59 EUR