VS-GT400TD60S
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 600V
Hersteller: VISHAY
Kennzeichnung des Herstellers:
VS-GT400TD60S
Symbol TME:
VS-GT400TD60S
Technische Daten
Hersteller | VISHAY | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Topologie | IGBT Halbbrücke | |
Rückspannung max. | 0,6kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 400A | |
Gehäuse | Dual INT-A-Pak LP16mm | |
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 1,1kA | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht270 g
Zertifikate
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* VS-GT400TD60SAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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