VS-GT75YF120UT
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; Brücke H,NTC Thermistor
NEUHEIT
Hersteller: VISHAY
Kennzeichnung des Herstellers:
VS-GT75YF120UT
Symbol TME:
VS-GT75YF120UT
Technische Daten
Hersteller | VISHAY | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Topologie | Brücke H, NTC Thermistor | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 75A | |
Gehäuse | ECONO2 | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 270A | |
Technologie | Trench | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht17 g
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* VS-GT75YF120UTAnzahl Stück (Vielfache: 12)
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Nettopreis für Mengen von 12 st - 196.00 EURBruttopreis für Mengen von 12 st - 233.24 EUR