VS-GT90DA60U
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 90A; SOT227B
NEUHEIT
Hersteller: VISHAY
Kennzeichnung des Herstellers:
VS-GT90DA60U
Symbol TME:
VS-GT90DA60U
Technische Daten
Hersteller | VISHAY | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Rückspannung max. | 0,6kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 90A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 300A | |
Technologie | Trench | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht32 g
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* VS-GT90DA60UAnzahl Stück (Vielfache: 10)
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Nettopreis für Mengen von 160 st - 36.60 EURBruttopreis für Mengen von 160 st - 43.56 EUR