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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	Diode/Transistor
Topologie	3-Phasendiodenbrücke, buck chopper
Rückspannung max.	1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom	175A
Gehäuse	V2-Pack
Anwendung	Wechselrichter
Elektrische Montage	Press-in PCB
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	450A
Verlustleistung	695W
Technologie	X2PT
Mechanische Montage	schraubbar

VUB160-16NOX

Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 175A

Technische Daten