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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	Diode/Thyristor/IGBT
Topologie	3-phasige Dioden-Thyristor-Brücke, boost chopper, NTC Thermistor
Rückspannung max.	1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom	84A
Gehäuse	E2-Pack
Anwendung	Wechselrichter
Elektrische Montage	Press-in PCB
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	225A
Verlustleistung	390W
Technologie	X2PT
Mechanische Montage	schraubbar

VVZB135-16IOXT

Modul: IGBT; Diode/Thyristor/IGBT; boost chopper; Urmax: 1,2kV

Technische Daten