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WMSC040H12B1P6T

Modul; Transistor/Transistor; 1,2kV; 45A; Press-in PCB; Idm: 90A

Hersteller: WeEn Semiconductors

Kennzeichnung des Herstellers:
WMSC040H12B1P6T
Symbol TME:
WMSC040H12B1P6T

Technische Daten

Hersteller
WeEn Semiconductors
Typ des Halbleitermoduls
Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters
Transistor/Transistor
Drain-Source Spannung
1,2kV
Drainstrom
45A
Topologie
MOSFET Halbbrücke, NTC Thermistor
Elektrische Montage
Press-in PCB
Widerstand im Leitungszustand
40mΩ
Drainstrom im Impuls
90A
Verlustleistung
105W
Technologie
SiC
Gate-Source Spannung
-4...18V
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht20 g
Zertifikate
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WMSC040H12B1P6T
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