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Memristor (Speicherwiderstand) ist ein nichtlineares elektronisches Element mit zwei Anschlüssen, dessen Widerstand von der gesamten elektrischen Ladung abhängt, die im Laufe der Zeit durch ihn geflossen ist. Das bedeutet, dass sich der Memristor seine Leitungshistorie "merkt" und sein aktueller Leitungszustand eine Funktion der vergangenen Stromsignale ist. Wenn die Spannung weggenommen wird, behält er seinen letzten Widerstandswert bei, was ihm die Eigenschaften eines nichtflüchtigen Speichers verleiht.
Das Konzept des Memristors wurde 1971 von Leon Chua als viertes grundlegendes Schaltungselement neben Widerstand, Kondensator und Spule theoretisch eingeführt. Formal ist er definiert als ein Element, dessen Widerstand vom magnetischen Fluss oder der integralen Spannung in Abhängigkeit von der Zeit abhängt. In der physikalischen Praxis werden Memristoren meist als Dünnschicht-Halbleiter- oder Oxidstrukturen realisiert, bei denen die Widerstandsänderung durch Ionenverdrängung oder Defekte in der Materialstruktur erfolgt.
Dieses Phänomen wird genutzt, um Informationen auf analoge oder diskrete Weise zu speichern, ohne dass eine Notstromversorgung erforderlich ist. Im Gegensatz zu klassischen Speicherchips können Memristoren gleichzeitig Daten speichern und an der Informationsverarbeitung teilnehmen, was sie zu einem Kandidaten für die Realisierung von sogenannten In-Memory-Computing- und neuromorphen Computerarchitekturen macht.
Dank ihrer Eigenschaften finden Memristoren Anwendung in modernen nichtflüchtigen Speichertechnologien (z. B. ReRAM), künstlichen Synapsen in neuronalen Netzen, Logikschaltungen der nächsten Generation und adaptiven Systemen. Ihre Entwicklung eröffnet neue Möglichkeiten der Miniaturisierung, der Energieeinsparung und der Realisierung von Funktionen, die mit herkömmlichen elektronischen Bauteilen nur schwer zu erreichen sind.
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