A1P35S12M3
Modul: IGBT; transistor/transistor; IGBT-halvbro x3; Urmax: 1,2kV
Producent: STMicroelectronics
Producentens varenummer:
A1P35S12M3
TME-symbol:
A1P35S12M3
Specifikation
Producent | STMicroelectronics | |
Type af halvledermodul | IGBT | |
Halvlederstruktur | transistor/transistor | |
Topologi | IGBT-halvbro x3, NTC-termistor | |
Maks tilbagespænding | 1,2kV | |
Kollektorstrøm | 35A | |
Kapsling | ACEPACK™1 | |
Anvendelse | motorer, vekselrettere | |
Elektrisk montering | Press-in PCB | |
Spænding gate - emitter | ±20V | |
Kollektorstrøm i impulsen | 70A | |
Effektdissipation | 250W | |
Mekanisk montering | skruet |
Bruttovægt24.84 g
Certifikater
Se andre produkter i denne kategori: IGBT-moduler STMicroelectronics,
* A1P35S12M3Antal stykker (Mangfoldighed: 1)
12 i TME-lager
Nettopris for mængder fra 1 stk - 44.36 EURBruttopris for mængder fra 1 stk - 55.44 EUR
Produktet er tilgængeligt, så længe lager haves
Producentens emballeringsmetodeKarton = 18 stk